第606章 沈委员，您早得出新理论了吧？ (第2/2页)

沈永健来之前其实便根据曹文三的信件内容琢磨过。
　　
　　的确是威廉·肖克利的论文内容有误，对方作为晶体管的开创者，他早年间回国时进行晶体管的理论研究便是以他的论文为基础。
　　
　　甚至于国内现在藏有的肖克利论文，也是他当年回国时带回来的那份，复印到了各个学校。
　　
　　关于这一块的错误，其实短期内并不影响晶体管的制造工艺，也不会影响集成电路的发展。
　　
　　毕竟实际的研制环节都经过反复调校，这类理论谬误仅属于底层理论层面的偏差。
　　
　　这也是沈永健当年编写教材时没有多加在意的原因，直接将这部分内容一笔带过，教材里也没有做出相关解释。
　　
　　听着这般鼓励且真诚的话语，陆秉文心中激动的同时还带着一股被沈委员认可的感动。
　　
　　“不过既然发现了问题，这个理论我们就需要重新构建并解决它。”
　　
　　“文三，还有秉文同学，你们想想。”
　　
　　“既然单极理论解释不通，是不是意味着沟道里不只有一种载流子？”
　　
　　陆秉文思索片刻，试探着问。
　　
　　“您的意思是…除了电子，还有空穴参与导电？”
　　
　　…
　　
　　“没错，这猜测我们可以通过实验数据来验证。”
　　
　　沈永健指着新设备的操作面板，引导着陆秉文进行操作。
　　
　　“固定顶栅偏压，给它施加一个正向电压，然后开始扫描底栅偏压，从负电压慢慢扫到正电压，仔细观察漏电流是如何变化的。”
　　
　　陆秉文接替了操作位，虽然这是新设备，但他在这个领域已做过各种实验尝试。
　　
　　如今对于沈委员提的内容也不陌生，迅速按照指示进行设定。
　　
　　新设备到底是要比他平日用的精密度强出太多。
　　
　　随着底栅电压的改变，屏幕上的转移特性曲线开始实时延伸。
　　
　　当底栅偏压为负时，漏电流并没有像单极理论预测的那样完全截止，而是呈现出另一种斜率的下降趋势。
　　
　　而当底栅偏压扫过零点变为正电压时，漏电流再次急剧上升，形成了一个完美的“V”型双极性特征。
　　
　　仅仅通过一次试验，他们的新理论猜测似乎就已经得到了完全验证。
　　
　　陆秉文脸上浮出惊喜，不过下一刻便反应过来！
　　
　　不对！
　　
　　这猜测和结论完全是沈委员引导的结果。
　　
　　他肯定早就对单机理论有了新的猜测与答案。
　　
　　这趟来，对方似乎是专门引导自己对这个问题进行探究与验证。
　　
　　“看样子结论已经很明显了，在双栅结构中，两条电子沟道和两条空穴沟道是可以同时存在的！”
　　
　　“这种多沟道的共存现象，完美解释了你之前观察到的异常拐点。”
　　
　　陆秉文愣愣地点了点头，这么快便将新的理论猜测进行了验证。
　　
　　当下激动之余，心中还带着股过意不去的情绪。
　　
　　犹豫半晌后，忍不住开口道。
　　
　　“沈委员，您…您来之前应该就已经验证过了这理论吧？”
　　
　　“其实…其实您不必花时间专门来这一趟的！”
　　
　　…